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TPS1120DG4
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-TPS1120DG4 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | TPS1120DG4 |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | TPS1120DG4 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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TPS1120DG4
Disponibile: 86630 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potenza - Max | 840mW |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore | TPS1120DG4 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 15V 1.17A 840mW Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss) | 15V |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.17A |
Altri
| Pacco standard | 75 |
|---|
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