CSD19535KTTT

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EXSHINE Modello di prodotti:EX-CSD19535KTTT
fabbricante Modello di prodotti:CSD19535KTTT
fabbricante / Marca:Texas Instruments
Breve descrizione:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:Contiene piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 3.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DDPAK/TO-263-3
Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi 296-41135-2
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
codice articolo del costruttore CSD19535KTTT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7930pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)

Altri

Pacco standard 50
Altri nomi 296-41135-2

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