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CSD19532KTT
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD19532KTT |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD19532KTT |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CSD19532KTT |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD19532KTT
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CSD19532KTT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5060pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 500 |
|---|---|
| Altri nomi | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
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