CSD18535KCS

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EXSHINE Modello di prodotti:EX-CSD18535KCS
fabbricante Modello di prodotti:CSD18535KCS
fabbricante / Marca:Texas Instruments
Breve descrizione:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:1
Scarica il foglio dati:CSD18535KCS
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3
Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 20 Weeks
codice articolo del costruttore CSD18535KCS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6620pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)

Altri

Pacco standard 50

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