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CSD18510KCS
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD18510KCS |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD18510KCS |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CSD18510KCS |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD18510KCS
Disponibile: 51840 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Ta) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 3 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CSD18510KCS |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11400pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 40V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 50 |
|---|
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