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CSD16409Q3
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CSD16409Q3 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CSD16409Q3 |
| fabbricante / Marca: | Texas Instruments |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | 1 |
| Scarica il foglio dati: | CSD16409Q3 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CSD16409Q3
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-VSON (5x6) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 17A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.6W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | 296-24253-2 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CSD16409Q3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 12.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 25V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-VSON (5x6) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 60A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | 296-24253-2 |
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