Foto solo per riferimento Contattaci per ulteriori immagini
STS2DNF30L
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-STS2DNF30L |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | STS2DNF30L |
| fabbricante / Marca: | STMicroelectronics |
| Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | STS2DNF30L |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibile: 79289000 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
| Serie | STripFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 110 mOhm @ 1A, 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | 497-12799-2 STS2DNF30L-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore | STS2DNF30L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 121pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | 497-12799-2 STS2DNF30L-ND |
|
|
T / T (bonifico bancario) Ricezione: 1-4 giorni. |
|
|
Paypal Ricezione: immediatamente. |
|
|
Western Union Ricezione: 1-2 ore. |
|
|
MoneyGram Ricezione: 1-2 ore. |
|
|
Alipay Ricezione: immediatamente. |
 |
DHL EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
 |
FEDEX EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
 |
UPS EXPRESS Tempi di consegna: 2-4 giorni. |
 |
TNT EXPRESS Tempi di consegna: 3-6 giorni. |
 |
EMS EXPRESS Tempi di consegna: 7-10 giorni. |
Prodotti correlati
-
ImmagineMfg. Numero di parteProduttoriBreve descrizioneScheda datiDisponibilePrezzo dell'articoloOrdinare on-line -
STS2DNFS30LSTMSTS2DNFS30L SOP-8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS277ORIGINALSTS277 ORIGINAL SMD or Through Hole New in stockvistaInchiesta -
STS2640ORIGINALSTS2640 ORIGINAL T0-92 New in stockvistaInchiesta -
STS2621SAMHOPDual P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ICvistaInchiesta -
STS2622ASamHopSTS2622A SamHop SOT-26 new date code and low pricevistaInchiesta -
STS2DNF30L_07STMICROELECTRONICSDual N-channel 30V - 0.09ohm - 3A SO-8 STripFET TM Power MOSFET ICvistaInchiesta -
STS2DNF30L_0705STMICROELECTRONICSDual N-channel 30V - 0.09 - 3A SO-8 STripFET Power MOSFET ICvistaInchiesta -
STS2DNE30STSTS2DNE30 SOP-8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS2DPF80STMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOICScaricarevistaInchiesta -
STS2DF30LSTSTS2DF30L SOP8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS2DNE60STSTS2DNE60 ST SOP-8 New Original StocksvistaInchiesta -
STS26N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 26A 8-SOICScaricarevistaUS$ 1.077Inchiesta -
STS2DPF520V-ESTSTS2DPF520V-E SOIC8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS2DPFS20V-ESTSTS2DPFS20V-E SOIC8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS2622SAMHOPDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ICvistaInchiesta -
STS2DPF20VSSTS2DPF20V SOIC-8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS2DNF30L.STSTS2DNF30L. SOP8 Original Package StockvistaInchiesta -
STS2DPFS20V$K3STMSTS2DPFS20V$K3 STM SOP8 New Original StocksvistaInchiesta -
STS2DPFS20VSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOICScaricarevistaInchiesta -
STS2907NAUKSTS2907N AUK TO-92 New in stockvistaInchiesta
Distributore di STMicroelectronics
- Storm Interface: lo scopo dell'azienda: sviluppare, produrre e commercializzare dispositivi di inserimento dati resistenti e reattivi da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni industriali e pubbliche.
Keymat Technology Ltd. è stata costituita nel marzo 1986 come società privata registrata nel Regno Unito. Ha sede centrale, nella sua proprietà privata, a ovest di Londra, a sole quattro miglia a nord dell'aeroporto di Heathrow. La divisione produttiva dell'azienda "Storm Manufacturing" ha sede a Maldon, sulla costa orientale dell'Inghilterra, e la sua divisione commerciale nordamericana si trova a Glen Ellyn, nell'Illinois, appena fuori Chicago.
Le tecnologie core switching sviluppate dalla società sono protette da brevetti internazionali e domande di brevetto. Queste tecnologie continuano a essere sviluppate e incorporate in prodotti nuovi e innovativi per aumentare e integrare la gamma di prodotti consolidata.
Questa strategia di continuo sviluppo ha permesso all'azienda di commercializzare una gamma più ampia di prodotti per l'immissione di dati con un unico potente marchio "STORM". Si tratta di prodotti di marca premium che rispecchiano gli standard ingegneristici e prestazionali richiesti negli ambienti militari, medici, industriali e pubblici odierni.