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STB33N65M2
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-STB33N65M2 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | STB33N65M2 |
| fabbricante / Marca: | STMicroelectronics |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | STx33N65M2 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibile: 55980 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK |
| Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 140 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 497-15457-6 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore | STB33N65M2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1790pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 650V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | 497-15457-6 |
|
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T / T (bonifico bancario) Ricezione: 1-4 giorni. |
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Paypal Ricezione: immediatamente. |
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Western Union Ricezione: 1-2 ore. |
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MoneyGram Ricezione: 1-2 ore. |
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Distributore di STMicroelectronics
- Storm Interface: lo scopo dell'azienda: sviluppare, produrre e commercializzare dispositivi di inserimento dati resistenti e reattivi da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni industriali e pubbliche.
Keymat Technology Ltd. è stata costituita nel marzo 1986 come società privata registrata nel Regno Unito. Ha sede centrale, nella sua proprietà privata, a ovest di Londra, a sole quattro miglia a nord dell'aeroporto di Heathrow. La divisione produttiva dell'azienda "Storm Manufacturing" ha sede a Maldon, sulla costa orientale dell'Inghilterra, e la sua divisione commerciale nordamericana si trova a Glen Ellyn, nell'Illinois, appena fuori Chicago.
Le tecnologie core switching sviluppate dalla società sono protette da brevetti internazionali e domande di brevetto. Queste tecnologie continuano a essere sviluppate e incorporate in prodotti nuovi e innovativi per aumentare e integrare la gamma di prodotti consolidata.
Questa strategia di continuo sviluppo ha permesso all'azienda di commercializzare una gamma più ampia di prodotti per l'immissione di dati con un unico potente marchio "STORM". Si tratta di prodotti di marca premium che rispecchiano gli standard ingegneristici e prestazionali richiesti negli ambienti militari, medici, industriali e pubblici odierni.