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SCT20N120
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SCT20N120 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | SCT20N120 |
| fabbricante / Marca: | STMicroelectronics |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | 1 |
| Scarica il foglio dati: | SCT20N120Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibile: 55330 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | HiP247™ |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max) | 175W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 497-15170 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | SCT20N120 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 30 |
|---|---|
| Altri nomi | 497-15170 |
|
|
T / T (bonifico bancario) Ricezione: 1-4 giorni. |
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Paypal Ricezione: immediatamente. |
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Western Union Ricezione: 1-2 ore. |
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MoneyGram Ricezione: 1-2 ore. |
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Alipay Ricezione: immediatamente. |
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DHL EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
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FEDEX EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
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Distributore di STMicroelectronics
- Storm Interface: lo scopo dell'azienda: sviluppare, produrre e commercializzare dispositivi di inserimento dati resistenti e reattivi da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni industriali e pubbliche.
Keymat Technology Ltd. è stata costituita nel marzo 1986 come società privata registrata nel Regno Unito. Ha sede centrale, nella sua proprietà privata, a ovest di Londra, a sole quattro miglia a nord dell'aeroporto di Heathrow. La divisione produttiva dell'azienda "Storm Manufacturing" ha sede a Maldon, sulla costa orientale dell'Inghilterra, e la sua divisione commerciale nordamericana si trova a Glen Ellyn, nell'Illinois, appena fuori Chicago.
Le tecnologie core switching sviluppate dalla società sono protette da brevetti internazionali e domande di brevetto. Queste tecnologie continuano a essere sviluppate e incorporate in prodotti nuovi e innovativi per aumentare e integrare la gamma di prodotti consolidata.
Questa strategia di continuo sviluppo ha permesso all'azienda di commercializzare una gamma più ampia di prodotti per l'immissione di dati con un unico potente marchio "STORM". Si tratta di prodotti di marca premium che rispecchiano gli standard ingegneristici e prestazionali richiesti negli ambienti militari, medici, industriali e pubblici odierni.