Foto solo per riferimento Contattaci per ulteriori immagini
NAND01GW3B2AN6E
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-NAND01GW3B2AN6E |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | NAND01GW3B2AN6E |
| fabbricante / Marca: | STMicroelectronics |
| Breve descrizione: | IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | 1 |
| Scarica il foglio dati: | NAND01G-B2B, NAND02G-B2C |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibile: 91137 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione di alimentazione - | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 48-TSOP |
| Velocità | - |
| Serie | - |
| imballaggio | Tray |
| Contenitore / involucro | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Altri nomi | 497-4617 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Formato di memoria | FLASH |
| codice articolo del costruttore | NAND01GW3B2AN6E |
| Interfaccia | Parallel |
| Descrizione | IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP |
Altri
| Pacco standard | 576 |
|---|---|
| Altri nomi | 497-4617 |
|
|
T / T (bonifico bancario) Ricezione: 1-4 giorni. |
|
|
Paypal Ricezione: immediatamente. |
|
|
Western Union Ricezione: 1-2 ore. |
|
|
MoneyGram Ricezione: 1-2 ore. |
|
|
Alipay Ricezione: immediatamente. |
 |
DHL EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
 |
FEDEX EXPRESS Tempi di consegna: 1-3 giorni. |
 |
UPS EXPRESS Tempi di consegna: 2-4 giorni. |
 |
TNT EXPRESS Tempi di consegna: 3-6 giorni. |
 |
EMS EXPRESS Tempi di consegna: 7-10 giorni. |
Prodotti correlati
-
ImmagineMfg. Numero di parteProduttoriBreve descrizioneScheda datiDisponibilePrezzo dell'articoloOrdinare on-line -
NAND01GW3B2AN6TSTNAND01GW3B2AN6T ST SOP New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AE06(TAIWAN)D/C:05STNAND01GW3B2AE06(TAIWAN)D/C:05 ST SMD or Through Hole New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AN1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3AOAN6ESSTNAND01GW3AOAN6ES ST TSOP-48L New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AZB6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3B2STNAND01GW3B2 SMD or Through Hole Original Package StockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AZA6ESTMicroelectronicsIC FLASH 1GBIT 50NS 63VFBGAScaricarevistaInchiesta -
NAND01GW3AOANBSTNAND01GW3AOANB ST TSSOP New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2ASTNAND01GW3B2A ST TSOP New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AZA6FSTNAND01GW3B2AZA6F ST BGA New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2A-ZA6STNAND01GW3B2A-ZA6 ST BGA New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AZA1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AZB1STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AN6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3BSTMICROELECTRONICS2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AZA6STMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3B2BSTMICROELECTRONICS1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory ICvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AN6FSTMicroelectronicsIC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOPScaricarevistaInchiesta -
NAND01GW3B2AE06STNAND01GW3B2AE06 ST SMD or Through Hole New in stockvistaInchiesta -
NAND01GW3B2AN6_STNAND01GW3B2AN6_ ST TSOP New in stockvistaInchiesta
Distributore di STMicroelectronics
- Storm Interface: lo scopo dell'azienda: sviluppare, produrre e commercializzare dispositivi di inserimento dati resistenti e reattivi da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni industriali e pubbliche.
Keymat Technology Ltd. è stata costituita nel marzo 1986 come società privata registrata nel Regno Unito. Ha sede centrale, nella sua proprietà privata, a ovest di Londra, a sole quattro miglia a nord dell'aeroporto di Heathrow. La divisione produttiva dell'azienda "Storm Manufacturing" ha sede a Maldon, sulla costa orientale dell'Inghilterra, e la sua divisione commerciale nordamericana si trova a Glen Ellyn, nell'Illinois, appena fuori Chicago.
Le tecnologie core switching sviluppate dalla società sono protette da brevetti internazionali e domande di brevetto. Queste tecnologie continuano a essere sviluppate e incorporate in prodotti nuovi e innovativi per aumentare e integrare la gamma di prodotti consolidata.
Questa strategia di continuo sviluppo ha permesso all'azienda di commercializzare una gamma più ampia di prodotti per l'immissione di dati con un unico potente marchio "STORM". Si tratta di prodotti di marca premium che rispecchiano gli standard ingegneristici e prestazionali richiesti negli ambienti militari, medici, industriali e pubblici odierni.