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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > UPA2690T1R-E2-AX

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UPA2690T1R-E2-AX

EXSHINE Modello di prodotti:EX-UPA2690T1R-E2-AX
fabbricante Modello di prodotti:UPA2690T1R-E2-AX
fabbricante / Marca:Renesas Electronics America
Breve descrizione:MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:UPA2690T1R
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id -
Contenitore dispositivo fornitore 6-HUSON (2x2)
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 42 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max 2.3W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-WFDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore UPA2690T1R-E2-AX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Tipo FET N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descrizione espansione Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 4A, 3A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A, 3A

Altri

Pacco standard 3,000

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Distributore di Renesas Electronics America

- RF Digital produce una vasta gamma di moduli configurabili per trasmettitori RF wireless, ricevitori e transceiver, adatti a quasi ogni tipo di applicazione. I moduli sono completamente integrati, di alta qualità e basso costo a vantaggio di qualsiasi applicazione. La linea di prodotti RFDuino offre un'ampia gamma di moduli tra cui sensori, USB, protezioni proto e altri per testare Bluetooth Low Energy in un ambiente prototipo plug and play.

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