RJK0855DPB-00#J5

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EXSHINE Modello di prodotti:EX-RJK0855DPB-00#J5
fabbricante Modello di prodotti:RJK0855DPB-00#J5
fabbricante / Marca:Renesas Electronics America
Breve descrizione:MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:RJK0855DPB
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 11 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669
Altri nomi RJK0855DPB-00#J5-ND
RJK0855DPB-00#J5TR
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore RJK0855DPB-00#J5
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 80V 30A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount LFPAK
Tensione drain-source (Vdss) 80V
Descrizione MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)

Altri

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Pacco standard 2,500

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Distributore di Renesas Electronics America

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