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NP80N055MHE-S18-AY

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NP80N055MHE-S18-AY

EXSHINE Modello di prodotti:EX-NP80N055MHE-S18-AY
fabbricante Modello di prodotti:NP80N055MHE-S18-AY
fabbricante / Marca:Renesas Electronics America
Breve descrizione:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:NP80N055xHE
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 11 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore NP80N055MHE-S18-AY
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 55V
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

Altri

Pacco standard 1

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Distributore di Renesas Electronics America

- RF Digital produce una vasta gamma di moduli configurabili per trasmettitori RF wireless, ricevitori e transceiver, adatti a quasi ogni tipo di applicazione. I moduli sono completamente integrati, di alta qualità e basso costo a vantaggio di qualsiasi applicazione. La linea di prodotti RFDuino offre un'ampia gamma di moduli tra cui sensori, USB, protezioni proto e altri per testare Bluetooth Low Energy in un ambiente prototipo plug and play.

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