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NP35N04YUG-E1-AY

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NP35N04YUG-E1-AY

EXSHINE Modello di prodotti:EX-NP35N04YUG-E1-AY
fabbricante Modello di prodotti:NP35N04YUG-E1-AY
fabbricante / Marca:Renesas Electronics America
Breve descrizione:MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:NP35N04YUG
Applicazione:-
Peso:-
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-HSON
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 10 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 77W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Altri nomi NP35N04YUG-E1-AY-ND
NP35N04YUG-E1-AYTR
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore NP35N04YUG-E1-AY
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 40V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)

Altri

Altri nomi NP35N04YUG-E1-AY-ND

NP35N04YUG-E1-AYTR
Pacco standard 2,500

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Distributore di Renesas Electronics America

- RF Digital produce una vasta gamma di moduli configurabili per trasmettitori RF wireless, ricevitori e transceiver, adatti a quasi ogni tipo di applicazione. I moduli sono completamente integrati, di alta qualità e basso costo a vantaggio di qualsiasi applicazione. La linea di prodotti RFDuino offre un'ampia gamma di moduli tra cui sensori, USB, protezioni proto e altri per testare Bluetooth Low Energy in un ambiente prototipo plug and play.

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