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RFD22125
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RFD22125 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RFD22125 |
| fabbricante / Marca: | RF Digital |
| Breve descrizione: | RFDUINO PROTO SHIELD |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | Rfduino Datasheet |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibile: 93960 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Serie | - |
|---|---|
| Altri nomi | 1562-1005 |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore | RFD22125 |
| Da utilizzare con / Prodotti Correlati | RFduino |
| Descrizione | RFDUINO PROTO SHIELD |
| Tipo di accessori | Proto Shield |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | 1562-1005 |
|
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Paypal Ricezione: immediatamente. |
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MoneyGram Ricezione: 1-2 ore. |
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EMS EXPRESS Tempi di consegna: 7-10 giorni. |
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Distributore di RF Digital Corporation
- RFMD®, un fornitore RFIC leader, offre un ampio portafoglio di prodotti comprendente blocchi di guadagno, pre-driver, driver, LNA, modulatori diretti, demodulatori e transistor di potenza per infrastrutture wireless e applicazioni CATV.
Tutti conformi alla direttiva RoHS e Pb-Free, i nostri prodotti offrono la massima linearità e prestazioni a banda larga richieste per gli standard dell'infrastruttura wireless, ponendo particolare attenzione alle prestazioni termiche e all'affidabilità per garantire che i nostri prodotti soddisfino standard industriali severi. La nostra serie RF386X di amplificatori a basso rumore (LNA) PHEMT GaAs offre prestazioni a banda larga (380 MHz - 3800 MHz), eccellenti prestazioni a basso rumore, alto guadagno e IP3 ad alto rendimento. La roadmap dell'infrastruttura di RFMD include anche la commercializzazione di transistor ad alta potenza e amplificatori a banda larga di nitruro di gallio (GaN).