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QJD1210010
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-QJD1210010 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | QJD1210010 |
| fabbricante / Marca: | Powerex, Inc. |
| Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | Full SiC & Hybride SiC IGBTs BriefQJD1210010 Preliminary Datasheet |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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QJD1210010
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | Module |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Potenza - Max | 1080W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | Module |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | QJD1210010 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|
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Distributore di Powerex Inc.
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