UNR411F00A

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UNR411F00A

EXSHINE Modello di prodotti:EX-UNR411F00A
fabbricante Modello di prodotti:UNR411F00A
fabbricante / Marca:Panasonic
Breve descrizione:TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Stato Lead senza piombo / RoHS:Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:UNR411x Series
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore NS-B1
Serie -
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) 10k
Resistenza - Base (R1) (ohm) 4.7k
Potenza - Max 300mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro NS-B1
Altri nomi UNR411F00ACT
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore UNR411F00A
Frequenza - transizione 80MHz
Descrizione espansione Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

Altri

Altri nomi UNR411F00ACT
Pacco standard 1

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