DRA2113Z0L

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DRA2113Z0L

EXSHINE Modello di prodotti:EX-DRA2113Z0L
fabbricante Modello di prodotti:DRA2113Z0L
fabbricante / Marca:Panasonic
Breve descrizione:TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:DRA2113Z0L
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore Mini3-G3-B
Serie -
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) 10k
Resistenza - Base (R1) (ohm) 1k
Potenza - Max 200mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi DRA2113Z0LTR
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
codice articolo del costruttore DRA2113Z0L
Frequenza - transizione -
Descrizione espansione Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

Altri

Pacco standard 3,000
Altri nomi DRA2113Z0LTR

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