PSMN1R7-25YLC,115

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EXSHINE Modello di prodotti:	EX-PSMN1R7-25YLC,115
fabbricante Modello di prodotti:	PSMN1R7-25YLC,115
fabbricante / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Breve descrizione:	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:	New and unused, Original
Scarica il foglio dati:	PSMN1R7-25YLC
Applicazione:	-
Peso:	-
Sostituzione alternativa:	-

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PSMN1R7-25YLC,115
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id	1.95V @ 1mA
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	1.9 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	164W (Tc)
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-100, SOT-669
Altri nomi	568-6723-2 934065198115 PSMN1R725YLC115
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	PSMN1R7-25YLC,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3735pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	59nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Descrizione espansione	N-Channel 25V 100A (Tc) 164W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Altri

Pacco standard	1,500
Altri nomi	568-6723-2 934065198115 PSMN1R725YLC115

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