PHT8N06LT,135

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PHT8N06LT,135

EXSHINE Modello di prodotti:EX-PHT8N06LT,135
fabbricante Modello di prodotti:PHT8N06LT,135
fabbricante / Marca:NXP Semiconductors / Freescale
Breve descrizione:MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:PHT8N06LT
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PHT8N06LT,135
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223
Serie TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 80 mOhm @ 5A, 5V
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi 568-7369-2
934054610135
PHT8N06LT /T3
PHT8N06LT /T3-ND
PHT8N06LT,135-ND
PHT8N06LT135
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore PHT8N06LT,135
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Tensione drain-source (Vdss) 55V
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)

Altri

Pacco standard 4,000
Altri nomi 568-7369-2

934054610135

PHT8N06LT /T3

PHT8N06LT /T3-ND

PHT8N06LT,135-ND

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