JAN1N5809US

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EXSHINE Modello di prodotti:	EX-JAN1N5809US
fabbricante Modello di prodotti:	JAN1N5809US
fabbricante / Marca:	Microsemi
Breve descrizione:	DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Stato Lead senza piombo / RoHS:	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione:	New and unused, Original
Scarica il foglio dati:	1N5807,09,11 US/URS
Applicazione:	-
Peso:	-
Sostituzione alternativa:	-

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JAN1N5809US
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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Confezione

Parametro del prodotto

Tensione - diretta (Vf) (max) a If	875mV @ 4A
Tensione - inversa (Vr) (max)	100V
Contenitore dispositivo fornitore	B, SQ-MELF
Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/477
Tempo di ripristino inverso (trr)	30ns
imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	SQ-MELF, B
Altri nomi	1086-2125 1086-2125-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	8 Weeks
codice articolo del costruttore	JAN1N5809US
Descrizione espansione	Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
Tipo diodo	Standard
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr	5µA @ 100V
Corrente - raddrizzata media (Io)	6A
Capacità a Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz

Altri

Pacco standard	1
Altri nomi	1086-2125 1086-2125-MIL

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