EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APT8M100B |
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fabbricante Modello di prodotti: | APT8M100B |
fabbricante / Marca: | Microsemi |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | APT8M100(B,S)Power Products Catalog |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 290W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
Altri nomi | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
codice articolo del costruttore | APT8M100B |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1885pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Pacco standard | 30 |
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Altri nomi | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
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