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APT50GN60BDQ2G
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-APT50GN60BDQ2G |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | APT50GN60BDQ2G |
| fabbricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descrizione: | IGBT 600V 107A 366W TO247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | APT50GN60(B,S)DQ2(G)Power Products Catalog |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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APT50GN60BDQ2G
Disponibile: 15430 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Condizione di test | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C | 20ns/230ns |
| di scambio energetico | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Serie | - |
| Potenza - Max | 366W |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | APT50GN60BDQ2GMI APT50GN60BDQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore | APT50GN60BDQ2G |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| carica gate | 325nC |
| Descrizione espansione | IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] |
| Descrizione | IGBT 600V 107A 366W TO247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 150A |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 107A |
Altri
| Pacco standard | 30 |
|---|---|
| Altri nomi | APT50GN60BDQ2GMI APT50GN60BDQ2GMI-ND |
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Distributore di Microsemi Corporation
- Micro / sys offre un'ampia gamma di opzioni per i processori, dai costosi computer basati su 80C188 alle centrali elettriche basate su Pentium e ai prodotti periferici e di I / O.
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