APT17F100B

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APT17F100B

EXSHINE Modello di prodotti:EX-APT17F100B
fabbricante Modello di prodotti:APT17F100B
fabbricante / Marca:Microsemi
Breve descrizione:MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:APT17F100(B,S)Power Products Catalog
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 800 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 22 Weeks
codice articolo del costruttore APT17F100B
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4845pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 1000V (1kV) 17A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)

Altri

Pacco standard 30
Altri nomi APT17F100BMI

APT17F100BMI-ND

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