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US6M2TR
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-US6M2TR |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | US6M2TR |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | US6M2 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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US6M2TR
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | TUMT6 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Potenza - Max | 1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 6-SMD, Flat Leads |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore | US6M2TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V, 20V |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A, 1A |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|
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