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UMF4NTR
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-UMF4NTR |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | UMF4NTR |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | UMF4N |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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UMF4NTR
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V, 12V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore | UMT6 |
| Serie | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | 2.2k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm) | 2.2k |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | UMF4NTR |
| Frequenza - transizione | 250MHz, 260MHz |
| Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Descrizione | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|
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