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SH8M4TB1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SH8M4TB1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | SH8M4TB1 |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | SP8M4SH8M4 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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SH8M4TB1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SH8M4TB1TR SP8M4TB SP8M4TBTR SP8M4TBTR-ND |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | SH8M4TB1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A, 7A |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | SH8M4TB1TR SP8M4TB SP8M4TBTR SP8M4TBTR-ND |
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Distributore di Rohm Semiconductor
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