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SCH2080KEC
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SCH2080KEC |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | SCH2080KEC |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | SCH2080KE |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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SCH2080KEC
Disponibile: 76150 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 4.4mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Dissipazione di potenza (max) | 262W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore | SCH2080KEC |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 360 |
|---|
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