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RT1A045APTCR
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RT1A045APTCR |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RT1A045APTCR |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | 1 |
| Scarica il foglio dati: | RT1A045APRT1A045AP |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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RT1A045APTCR
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | -8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSST |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 650mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | RT1A045APTCRTR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore | RT1A045APTCR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|---|
| Altri nomi | RT1A045APTCRTR |
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