RSS085N05FU6TB

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EXSHINE Modello di prodotti:EX-RSS085N05FU6TB
fabbricante Modello di prodotti:RSS085N05FU6TB
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:RSS085N05
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 18 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi RSS085N05FU6TBTR
temperatura di esercizio -
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore RSS085N05FU6TB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.4nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 45V 8.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 45V
Descrizione MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Ta)

Altri

Altri nomi RSS085N05FU6TBTR
Pacco standard 2,500

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