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RSR010N10TL
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RSR010N10TL |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RSR010N10TL |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | RSR010N10 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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RSR010N10TL
Disponibile: 63859000 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TSMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 520 mOhm @ 1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 540mW (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | SC-96 |
| Altri nomi | RSR010N10TLDKR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore | RSR010N10TL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 100V 1A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | RSR010N10TLDKR |
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