EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RQ7E110AJTCR |
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fabbricante Modello di prodotti: | RQ7E110AJTCR |
fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
Breve descrizione: | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | 1 |
Scarica il foglio dati: | RQ7E110AJ |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 10mA |
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Vgs (Max) | ±12V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TSMT8 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 9 mOhm @ 4.5A, 11V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
Altri nomi | RQ7E110AJTCRTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
codice articolo del costruttore | RQ7E110AJTCR |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8 |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione | NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Altri nomi | RQ7E110AJTCRTR |
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Pacco standard | 3,000 |
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