RK7002BT116

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RK7002BT116

EXSHINE Modello di prodotti:EX-RK7002BT116
fabbricante Modello di prodotti:RK7002BT116
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:RK7002B
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SST3
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi RK7002BT116TR
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore RK7002BT116
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)

Altri

Altri nomi RK7002BT116TR
Pacco standard 3,000

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