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RJU002N06T106
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-RJU002N06T106 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | RJU002N06T106 |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | RJU002N06 Datasheet |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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RJU002N06T106
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | RJU002N06T106TR |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | RJU002N06T106 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|---|
| Altri nomi | RJU002N06T106TR |
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