R6011ENX

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R6011ENX

EXSHINE Modello di prodotti:EX-R6011ENX
fabbricante Modello di prodotti:R6011ENX
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:R6011ENX
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 17 Weeks
codice articolo del costruttore R6011ENX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)

Altri

Altri nomi R6011ENXCT

R6011ENXCT-ND
Pacco standard 500

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