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R5207ANDTL
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-R5207ANDTL |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | R5207ANDTL |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | 1 |
| Scarica il foglio dati: | R5207AND |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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R5207ANDTL
Disponibile: 50093000 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | CPT3 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | R5207ANDTL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 525V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|
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