R5009FNJTL

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R5009FNJTL

EXSHINE Modello di prodotti:EX-R5009FNJTL
fabbricante Modello di prodotti:R5009FNJTL
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 500V 9A LPT
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:R5009FNJ
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore LPTS
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 840 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro SC-83
Altri nomi R5009FNJTLDKR
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 17 Weeks
codice articolo del costruttore R5009FNJTL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 500V 9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione MOSFET N-CH 500V 9A LPT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

Altri

Pacco standard 1
Altri nomi R5009FNJTLDKR

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