QS6J3TR

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QS6J3TR

EXSHINE Modello di prodotti:EX-QS6J3TR
fabbricante Modello di prodotti:QS6J3TR
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:QS6J3
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95)
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potenza - Max 1.25W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore QS6J3TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Descrizione espansione Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A

Altri

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