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IMD10AT108
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IMD10AT108 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IMD10AT108 |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IMD10A |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IMD10AT108
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SMT6 |
| Serie | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | 10k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm) | 10k, 100 |
| Potenza - Max | 300mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-74, SOT-457 |
| Altri nomi | IMD10AT108TR |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IMD10AT108 |
| Frequenza - transizione | 250MHz, 200MHz |
| Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Descrizione | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|---|
| Altri nomi | IMD10AT108TR |
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