DTDG14GPT100

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DTDG14GPT100

EXSHINE Modello di prodotti:EX-DTDG14GPT100
fabbricante Modello di prodotti:DTDG14GPT100
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:DTDG14GP
Applicazione:-
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Parametro del prodotto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore MPT3
Serie -
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) 10k
Resistenza - Base (R1) (ohm) -
Potenza - Max 2W
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-243AA
Altri nomi DTDG14GPT100DKR
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
codice articolo del costruttore DTDG14GPT100
Frequenza - transizione 80MHz
Descrizione espansione Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 1A

Altri

Pacco standard 1
Altri nomi DTDG14GPT100DKR

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