EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BSM300D12P2E001 |
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fabbricante Modello di prodotti: | BSM300D12P2E001 |
fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 1200V 300A |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | BSM300D12P2E001 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 68mA |
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Contenitore dispositivo fornitore | Module |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | - |
Potenza - Max | 1875W |
imballaggio | Tray |
Contenitore / involucro | Module |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
codice articolo del costruttore | BSM300D12P2E001 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 35000pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module |
Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 300A |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 300A |
Pacco standard | 4 |
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