BSM300D12P2E001

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BSM300D12P2E001

EXSHINE Modello di prodotti:EX-BSM300D12P2E001
fabbricante Modello di prodotti:BSM300D12P2E001
fabbricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:BSM300D12P2E001
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 68mA
Contenitore dispositivo fornitore Module
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs -
Potenza - Max 1875W
imballaggio Tray
Contenitore / involucro Module
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
codice articolo del costruttore BSM300D12P2E001
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300A

Altri

Pacco standard 4

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