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BS2103F-E2
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BS2103F-E2 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | BS2103F-E2 |
| fabbricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descrizione: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | BS2103F |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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BS2103F-E2
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione di alimentazione - | 10 V ~ 18 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Serie | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ) | 200ns, 100ns |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | BS2103F-E2TR |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso | 2 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore | BS2103F-E2 |
| Tensione logica - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) | 600V |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Descrizione espansione | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Descrizione | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) | 60mA, 130mA |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max) | Independent |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | BS2103F-E2TR |
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