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SPU08P06P
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SPU08P06P |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | SPU08P06P |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | SPU08P06P |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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SPU08P06P
Disponibile: 92698 i pezzi possono essere spediti in 1-2 giorni.
Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | SP000012086 SPU08P06PIN SPU08P06PX SPU08P06PXTIN SPU08P06PXTIN-ND |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | SPU08P06P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | P-Channel 60V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.83A (Ta) |
Altri
| Altri nomi | SP000012086 SPU08P06PIN SPU08P06PX SPU08P06PXTIN SPU08P06PXTIN-ND |
|---|---|
| Pacco standard | 1,500 |
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