SPB10N10L G

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SPB10N10L G

EXSHINE Modello di prodotti:EX-SPB10N10L G
fabbricante Modello di prodotti:SPB10N10L G
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:SPB10N10L
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2V @ 21µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Serie SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs 154 mOhm @ 8.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SP000102169
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGXT
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore SPB10N10L G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 444pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.3A (Tc)

Altri

Pacco standard 1,000
Altri nomi SP000102169

SPB10N10L G-ND

SPB10N10LGINTR

SPB10N10LGXT

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