EXSHINE Modello di prodotti: | EX-SPB10N10L G |
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fabbricante Modello di prodotti: | SPB10N10L G |
fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | SPB10N10L |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 21µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | SPB10N10L G |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Pacco standard | 1,000 |
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Altri nomi | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |
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