IRLHS6276TR2PBF

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IRLHS6276TR2PBF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IRLHS6276TR2PBF
fabbricante Modello di prodotti:IRLHS6276TR2PBF
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IRLHS6276PbF
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IRLHS6276TR2PBF
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 10µA
Contenitore dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)
Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Potenza - Max 1.5W
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro 6-PowerVDFN
Altri nomi IRLHS6276TR2PBFDKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore IRLHS6276TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A

Altri

Altri nomi IRLHS6276TR2PBFDKR
Pacco standard 1

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