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IRFTS8342TRPBF
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRFTS8342TRPBF |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRFTS8342TRPBF |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRFTS8342PbF |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRFTS8342TRPBF
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 19 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-23-6 |
| Altri nomi | IRFTS8342TRPBFTR SP001552394 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IRFTS8342TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 8.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.2A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|---|
| Altri nomi | IRFTS8342TRPBFTR SP001552394 |
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