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IRFR120NCPBF
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRFR120NCPBF |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRFR120NCPBF |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRFR/U120NPbF |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRFR120NCPBF
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 210 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IRFR120NCPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 100V 9.4A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 75 |
|---|
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