IRFH5215TR2PBF

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IRFH5215TR2PBF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IRFH5215TR2PBF
fabbricante Modello di prodotti:IRFH5215TR2PBF
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IRFH5215PBF
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PQFN (5x6)
Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 58 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro 8-VQFN Exposed Pad
Altri nomi IRFH5215TR2PBFDKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore IRFH5215TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss) 150V
Descrizione MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta), 27A (Tc)

Altri

Pacco standard 1
Altri nomi IRFH5215TR2PBFDKR

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