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IRFB4110GPBF

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IRFB4110GPBF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IRFB4110GPBF
fabbricante Modello di prodotti:IRFB4110GPBF
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IRFB4110GPbF
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB
Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi SP001556050
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore IRFB4110GPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9620pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

Altri

Pacco standard 50
Altri nomi SP001556050

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