IRF7902PBF

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IRF7902PBF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IRF7902PBF
fabbricante Modello di prodotti:IRF7902PBF
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IRF7902PbF
Applicazione:-
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.25V @ 25µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Potenza - Max 1.4W, 2W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi SP001566344
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore IRF7902PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A, 9.7A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A, 9.7A

Altri

Pacco standard 95
Altri nomi SP001566344

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